DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных) – современный тип оперативной памяти, пришедший на смену SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом). Сейчас память SDRAM считается сильно устаревшей.
На сегодняшний день самым распространенным типом оперативной памяти для ПК является представитель третьего поколения DDR — DDR3.
На смену DDR3 постепенно приходят модули памяти DDR4, но большого распространения они пока не получили из-за высокой стоимости самих планок памяти и материнских плат для них. Теоретическая скорость передачи данных у модулей памяти DDR4 в два раза выше чем у DDR3, но на практике DDR4 пока не сильно выигрывает у DDR3.
DDR — самый первый вид оперативной памяти с удвоенной скоростью передачи данных. Данная технология является устаревшей.
DDR2 — следующее поколение оперативной памяти типа DDR. Может работать на более высокой частоте по сравнению с первой версией DDR.
OEM SSD диск SK Hynix BC501 128GB HFM128GDJTNG-8310A из миниПК HP
Совместимость между различными представителями DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4) отсутствует.
DDR3L — DDR3 с пониженным энергопотреблением (1,35В, вместо 1,5 у стандартных). Совместима с DDR3.
Сейчас иногда еще можно встретить сильно устаревшую память RDRAM.
Форм-фактор
DIMM (Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) – форм-фактор модуля памяти, пришедший на смену SIMM (Single In-line Memory Module, односторонний модуль памяти). Основным преимуществом DIMM перед SIMM является ускорение передачи данных. DIMM также имеет функцию обнаружения и исправления ошибок, что обеспечивает более надежную передачу данных.
SO-DIMM (или SODIMM), MicroDIMM, MiniDIMM — форм-факторы памяти, используемые в портативных устройствах (ноутбуках, планшетах).
FB-DIMM (Fully Buffered, полностью буферизованный) – серверная оперативная память. Обеспечивает повышенную скорость и точность передачи данных. Несовместима с обычными небуферизованными модулями памяти DIMM.
LRDIMM (load-reduced dual inline memory module, двухсторонний модуль памяти с уменьшенной нагрузкой) – серверная оперативная память, которая устанавливается в дата-центрах и серверах с большой нагрузкой.
RIMM — устаревший форм-фактор модулей памяти для ПК.
Количество модулей памяти
Иногда в комплекте могут продаваться сразу несколько одинаковых модулей памяти.
Размер одного модуля памяти, Мб
Количество памяти на каждом модуле, которая доступна для записи информации.
Тактовая частота, МГц
Тактовая частота показывает какое количество операций может совершить модуль памяти за 1 секунду. Соответственно, чем выше данный показатель, тем память работает быстрее. Для всех моделей памяти DDR: DDR, DDR2, DDR3, DDR4 значение таковой частоты указывается удвоенным.
Дополнительные характеристики
Пропускная способность, Гб/с
Показывает какое количество данных может быть передано или получено за 1 секунду.
Поддержка ECC
Небольшие разъяснения про память hynix
EСС (Error Checking and Correction – проверка и исправление ошибок) – это технология, разработанная для нахождения ошибок и их исправления (если ошибок не слишком много). Модули памяти с ECC, как правило, устанавливают на серверах и в дата-центрах, поскольку при небольшой нагрузке (среднестатистического ПК) ошибки практически не возникают. Модули памяти с ECC и без ECC несовместимы.
Буферизованная (Регистровая) память
Буфер (регистр) повышает надежность хранения и передачи информации, но несколько снижает производительность. Буферизованная (регистровая) память устанавливается, как правило, на серверах, поскольку при незначительной нагрузке, такой, как на среднестатистическом ПК буфер только замедляет его работу. Буферизованные и небуферизованные модули памяти несовместимы.
Низкопрофильная
Высота модуля памяти уменьшена до 25мм.
Количество контактов
Количество контактов модуля памяти с гнездом материнской платы.
Число чипов на один модуль памяти
Количество чипов (микросхем), предназначенных для хранения памяти, находящихся на одном модуле.
Напряжение, В
Напряжение, которое требуется для питания модуля памяти. Для совместимости материнская плата должна поддерживать данное напряжение.
Наличие радиатора
Наличие радиатора повышает теплоотведение, препятствуя перегреву оперативной памяти. Его наличие крайне желательно для модулей памяти, работающих на высоких частотах (больше 1333 МГц).
CAS Latency (CL), тактов
CAS-latency (column address strobe latency – задержка на получение столбца) — время ожидания (циклов) между запросом на получение данных из ячейки памяти и временем, когда она начнет считываться. CAS-latency (CL или CAS-задежка) является важной характеристикой быстродействия оперативной памяти. Чем она ниже, тем память работает быстрее. Возможно также дробное значение данного показателя (например: 2.5).
Упаковка чипов
Расположение чипов (микросхем) памяти на планке. Чипы могут располагаться с одной или с двух сторон.
tRCD, тактов
tRCD (RAS to CAS Delay) – задержка (в циклах) между сигналами, определяющими адрес строки (RAS — Row Address Strobe) и адрес столбца CAS (Column Address Strobe). Чем она ниже, тем быстрее работает оперативная память.
tRP, тактов
tRP (Row Address Strobe Precharge Time) — время (в циклах), необходимое для закрытия строки памяти и открытия новой строки. Чем оно меньше, тем быстрее работает модуль памяти.
tRAS, тактов
tRAS (Activate to Precharge Delay) — задержка (в циклах) между командой активации (RAS) и закрытия строки памяти. Чем она меньше, тем быстрее работает модуль памяти.
Количество ранков
Ранк — область памяти, состоящая из всех или только части чипов (микросхем) данного модуля памяти. Некоторые материнские платы (в основном серверные) имеют ограничение на количество ранков, поэтому модули памяти с ранком равным единице ценятся немного больше.
Совместимость
Совместимость с материнскими платами или компьютерами, заявленная производителем данного модуля памяти. Полный список совместимых моделей почти всегда гораздо шире.
Источник: findhard.ru
Hynix hma851s6cjr6n vk характеристики
Ваш город Москва?
Пн-Вс. 11:00-20:00
Ваш город Москва?
- Главная
- Оперативная память (Random Access Memory)
- Оперативная память 4Gb Hynix HMA851S6CJR6N-VK DDR4 2666 SODIMM
Характеристики Оперативная память 4Gb Hynix HMA851S6CJR6N-VK DDR4 2666 SODIMM
Тип памяти
Тактовая частота (МГц)
Форм-фактор
для ноутбуков (SO-DIMM)
Пропускная способность
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
Буферизованная (Registered)
Низкопрофильная (Low Profile)
Количество модулей в комплекте
Напряжение питания
Описание Оперативная память 4Gb Hynix HMA851S6CJR6N-VK DDR4 2666 SODIMM
- Оригинальный модуль памяти Hynix
- 1 модуль памяти DDR4
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 260-контактный
- частота 2666 МГц
- CAS Latency (CL): 19
Источник: htpc-home.ru
Обзор RAM SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB, характеристики, бенчмарки
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB обзор модуля памяти (RAM). Основные технические характеристики ОЗУ и бенчмарки производительности, предоставленные PassMark. Изучите данные модуля и сравните его с другими моделями RAM
Спецификации
Полный список технических характеристик
Характеристики
DDR4
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK
Характеристики
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Пропускная способность памяти
21300 mbps
Тайминги / частота * проверяйтие на сайте производителя
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Производительность от PassMark
37 ns
Скорость чтения
15.4 GB/s
Скорость записи
11.6 GB/s
| 10.00 | 8.57 | 7.50 | 6.67 | 6.00 | 5.71 | 5.33 | 5.00 | 4.80 | 4.71 | 4.62 | 4.44 | 4.29 | 4.14 | 4.00 |
| 11.25 | 9.65 | 8.44 | 7.50 | 6.75 | 6.43 | 6.00 | 5.63 | 5.40 | 5.29 | 5.19 | 5.00 | 4.82 | 4.66 | 4.50 |
| 12.50 | 10.72 | 9.38 | 8.33 | 7.50 | 7.14 | 6.67 | 6.25 | 6.00 | 5.88 | 5.77 | 5.56 | 5.36 | 5.17 | 5.00 |
| 13.75 | 11.79 | 10.31 | 9.17 | 8.25 | 7.86 | 7.33 | 6.88 | 6.60 | 6.47 | 6.35 | 6.11 | 5.89 | 5.69 | 5.50 |
| 15.00 | 12.86 | 11.25 | 10.00 | 9.00 | 8.57 | 8.00 | 7.50 | 7.20 | 7.06 | 6.92 | 6.67 | 6.43 | 6.21 | 6.00 |
| 16.25 | 13.93 | 12.19 | 10.83 | 9.75 | 9.29 | 8.67 | 8.13 | 7.80 | 7.65 | 7.50 | 7.22 | 6.96 | 6.73 | 6.50 |
| 17.50 | 15.01 | 13.13 | 11.67 | 10.50 | 10.00 | 9.33 | 8.75 | 8.40 | 8.24 | 8.08 | 7.78 | 7.50 | 7.24 | 7.00 |
| 18.75 | 16.08 | 14.06 | 12.50 | 11.25 | 10.71 | 10.00 | 9.38 | 9.00 | 8.82 | 8.66 | 8.33 | 8.04 | 7.76 | 7.50 |
| 20.00 | 17.15 | 15.00 | 13.33 | 12.00 | 11.43 | 10.67 | 10.00 | 9.60 | 9.41 | 9.23 | 8.89 | 8.57 | 8.28 | 8.00 |
| 21.25 | 18.22 | 15.94 | 14.17 | 12.75 | 12.14 | 11.33 | 10.63 | 10.20 | 10.00 | 9.81 | 9.44 | 9.11 | 8.79 | 8.50 |
| 22.50 | 19.29 | 16.88 | 15.00 | 13.50 | 12.86 | 12.00 | 11.25 | 10.80 | 10.59 | 10.39 | 10.00 | 9.64 | 9.31 | 9.00 |
| 23.75 | 20.36 | 17.82 | 15.83 | 14.25 | 13.57 | 12.67 | 11.88 | 11.40 | 11.18 | 10.96 | 10.56 | 10.18 | 9.83 | 9.50 |
| 25.00 | 21.44 | 18.75 | 16.67 | 15.00 | 14.29 | 13.33 | 12.50 | 12.00 | 11.76 | 11.54 | 11.11 | 10.72 | 10.35 | 10.00 |
Задержка CAS измеряет количество тактовых циклов, которые проходят с момента запроса на чтение данных до момента, когда такая информация становится доступной.
Тесты производительности
Реальные тесты SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Источник: ram-comparison.com